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[기술] 4M DRAM 회로설계 및 공정기술 공동개발 성공(1988)

우리나라가 처음 생산한 반도체는 1965년 '고미반도체'가 미국 업체와 합작을 통해 생산한 트렌지스터이다. 이후 저임금과 풍부한 노동력을 바탕으로 극심한 가격 경쟁에서 우위를 확보함으로써 반도체산업은 성장기반을 마련했다.

1983년에 삼성전자를 비롯한 대기업이 반도체산업에 투자를 시작하면서 우리나라는 본격적으로 세계 수준에 근접하는 기술력을 축적해왔다. 1988년 자체 기술에 의해 4M DRAM을 개발함으로써 비로소 세계 메모리반도체 기술을 선도하기 시작했다.

우리가 짧은 기간 동안 메모리반도체 세계 최강국으로 부상할 수 있었던 것은, 첫째 대량생산이 가능하며 시장이 큰 메모리 분야를 전략적으로 집중 선택했기 때문이며, 둘째 오너 경영을 통해 신속한 의사결정을 내릴 수 있었기 때문이며, 셋째 경쟁우위 확보를 위한 과감한 투자를 아끼지 않았기 때문이다.

이밖에도 우리나라 반도체 산업은 미국,일본과 연합하여 차세대반도체 표준개발에도 적극 참여하고 있다. 1999년 12월 삼성전자와 현대전자(현 하이닉스반도체)가 미국 마이크로테크놀로지,일본 NEC,독일 인피니온테크놀로지 등 세계적인 메모리반도체 업체와 차세대 범용 D램을 공동개발하기로 함으로써 21세기 차세대 반도체 시장에서도 우리나라가 주도권을 행사할 것으로 예상된다.

이처럼 DRAM을 비롯한 메모리반도체 분야에서는 독보적인 위치를 확보하고 있지만 상대적으로 부가가치가 높은 비메모리반도체 분야에서는 현재까지도 부진을 면치 못하고 있다. 정부와 각 기업체는 이런 불균형을 바로잡기 위해 취약한 기반을 개선하고자 노력하고 있다.

(자료：정보통신부, 한국정보통신 20세기사 , 2001)

[기술] TDX-1 최초 상용설치(1991)

1976년 2월 제7차 경제장관간담회에서 전전자교환기 국내개발이 결정되었으나 실질적인 연구가 시작된 것은 1977년 한국전기통신연구소(현 한국전자통신연구원)가 설립되면서부터이다. 1977년 시분할교환기 개발 타당성 조사를 거쳐 1979~1981년 3차례에 걸친 전전자교환기 실험시제품 개발 경험을 토대로 성공에 대한 확신을 얻은 정부는 1981년 10월 작성된 제5차 경제사회개발 5개년 계획의 통신부문계획을 통해 TDX개발사업 추진을 확정하고 1982~1986년까지 262억 원을 투입하기로 결정하였다.

이에 따라 정부는 전자통신개발추진위원회(TDTF)의 정책의결을 거쳐 한국전기통신공사에 TDX사업단을, 한국전기통신연구소에는 TDX 개발단을 설치하여 체신부(정책결정 및 개발사업 총괄조정), 한국전기통신공사(기능요구사항 제시, 구매규격 작성, 상용화시험), 한국전기통신연구소(연구개발 주도), 생산업체(제품생산, 분담개발) 간의 역할분담을 명확하게 하였다.

1982년 10월부터는 9,600회선 용량의 TDX-1 시범인증기 개발에 착수하여 1983년 하드웨어 및 소프트웨어 개발을 완료하고 1984년 4월 서대전 및 유성전화국에서 개통하여 일반가입자 2,800회선을 연결하여 1985년 5월까지 3차에 걸친 종합인증시험평가를 실시하였다. 종합인증시험평가는 한국전기통신공사의 TDX사업단이 주관하여 사용자로서의 요구조건이 만족되고 있는지 면밀하게 시험되었으며, 평가결과 상용 배치의 가능성이 입증됨으로써 한국전자통신연구소로 하여 1984년 8월 삼성반도체통신(주), 금성반도체(주), 대우통신(주), 동양전자통신(주) 등 국내 4개 업체를 선정하여 TDX개발사업 기본협약을 체결토록 하였다. 이와 같은 노력을 거쳐 1986년 3월 4개 업체에서 생산한 TDX-1 시험생산기 24,000회선이 가평, 전곡, 고령, 무주지역에서 개통되었다.

(자료 : 정보통신부, 한국의 정보화 전략, 2003)